硅是具有符號Si和原子序數14的化學(xué)元素。四價(jià)準金屬，硅的反應性低于其化學(xué)類(lèi)比碳。作為宇宙中第八個(gè)最常見(jiàn)的元素，硅偶爾作為純自由元素出現，但是作為各種形式的二氧化硅（二氧化硅）或硅酸鹽，分布在灰塵，飛機和行星中更廣泛。在地球上，硅是地殼中第二最豐富的元素（氧后），[1]占地殼的25.7％。
硅有許多工業(yè)用途。元素硅是大多數半導體器件的主要部件，最重要的是集成電路或微芯片。硅被廣泛用于半導體，因為它在比半導體鍺更高的溫度下保持半導體，并且由于其天然氧化物容易在爐中生長(cháng)并且形成比任何其它材料更好的半導體/電介質(zhì)界面。
以二氧化硅和硅酸鹽的形式，硅形成有用的玻璃，水泥和陶瓷。它也是有機硅的組成部分，是由硅，氧，碳和氫制成的各種合成塑料物質(zhì)的類(lèi)名，通常與硅本身混淆。
硅是生物學(xué)的一個(gè)基本要素，雖然只有微小的痕跡似乎是動(dòng)物需要的。更重要的是植物的代謝，特別是許多禾本科植物，硅酸（一種二氧化硅）形成了微觀(guān)硅藻的保護殼陣列的基礎。
| 符號 | Si | 密度（20°C）/ gcm 3 | 2.336（?2.905 |
| 原子數 | 14 | 熔點(diǎn)/℃ | 1420 |
| 天然存在的同位素數量 | 3 | 沸點(diǎn)/℃ | -3280 |
| 原子重量 | 28.0855（+/- 3） | ΔH FUS / kJmol -1 | 50.6 |
| 電子配置 | [Ne] 3s 2 3p 2 | ΔH VAP / kJmol -1 | 383 |
| r IV（共價(jià)）/ pm | 117.6 | ΔHf （單原子氣體） / kJmol -1 | 454 |
| r IV（離子，6坐標）/ pm | 40 | 電離能） / kJmol -1 I | 786.3 |
| 電阻率（20°C）/μohmcm | ?48 | 電離能） / kJmol -1 II | 1576.5 |
| 保寧電負性 | 1.8 | 電離能/ kJmol -1 III | 3228.3 |
| 帶隙E g / kJmol -1 | 106.8 | 電離能/ kJmol -1 IV |
| 溫度（? C）@Vap。壓力 | 技術(shù) | 備注 | |||||
| 10 -8乇 | 10 -6乇 | 10 -4乇 | 電子束 | 坩 | 盤(pán) | 船 | |
| 992 | 1147 | 1337 | 公平 | 鉭和玻璃狀石墨 | - | 鎢和鉭 | 鎢合金; 使用重型鎢舟。SiO 4產(chǎn)生高于4×10 -6乇。EB最佳 |
| 硅（Si） | |||||
| 電阻合金 | |||||
| 名稱(chēng) | 型號 | 元素名稱(chēng) |
電阻值 μΩ/Cm/20°C |
導電率 S/W |
密度 g/cm3 |
| 立承德-卡瑪 | NEXTM KAMA | NiCr20AlSi | 132 | 0.76 | 8 |
| 電熱合金 | |||||
| 型號 | 元素名稱(chēng) |
熔點(diǎn) °C |
溫度公差 | 溫度范圍 | |
| KP | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | 標準公差 |
| KN | Ni,Mn,Al,Si | 1400 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | |
| NP | Ni,Si,Cr | 1394 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | |
| NN | Ni,Si | 1341 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | |
| EP | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±1.7°C or ±0.5% (t90) | 0 to 870 | |
| JP | Fe,Mn,Si,Al,C | 1496 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 760 | |
| KPX | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
| KNX | Ni,Mn, Al, Si | 1400 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
| NPX | Ni,Si,Cr | 1394 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
| NNX | Ni,Si | 1341 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
| EPX | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±1.7°C | 0 to 200 | |
| JPX | Fe,Mn,Si,Al,C | 1496 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
| KPCA | Fe,Mn,Si,Al,C | 1496 | ±100μV(±2.5°C) | 0 to 150 | 二級公差 |
| 靶材 | |||||
| 材料名稱(chēng) | 元素名稱(chēng) | 原子序數 |
導熱性 W/m.K |
理論密度 g/cc |
|
| Silicon_Si | Si | 14 | 150 | 2.32 | |
| 蒸鍍材料 | |||||
| 材料名稱(chēng) | 元素名稱(chēng) | 原子序數 |
導熱性 W/m.K |
理論密度 g/cc |
|
| Si硅P-type（片） | Si | 14 | 150 | 2.32 | |
立承德科技（上海）生產(chǎn)基地
地址：上海市寶山區蕰川路5300弄1號
電話(huà)： +86-21-3638-0189
傳真： +86-21-3638-0109
郵箱：nexteck@nexteck.com.cn
立承德科技（深圳）有限公司
地址：廣東省深圳市福田區彩田路 3069 號星河世紀A棟1001室
電話(huà)：+86-755-8256-1631
傳真： +86-755-8256-1691
郵箱：nexteck@nexteck.com
